Transistor Hexfet Irf1310n To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85286
Hersteller-Nr.:
IRF1310NPBF
EAN:
2050000040672

Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Hinweise:
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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF1310NPBF, International Rectifier, IRF1310NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF1310NPBF
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
42 A
Ptot:
160 W
R(DS)(on):
36 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
22 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
110 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
1900 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies
RDS(on):
0.036 Ω

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