Transistor Hexfet Irf1010e To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85236
Hersteller-Nr.:
IRF1010E
EAN:
2050000040597

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF1010E, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF1010E
Gehäuse:
TO-220
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
84 A
U:
60 V
Ptot:
200 W
R(DS)(on):
12 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
50 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
130 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
3210 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Betriebstemperatur (max.):
+175 °C
Serie:
HEXFET®
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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