ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB 1 PNP

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Art.-Nr.:
Q38196
Hersteller-Nr.:
BD810G
EAN:
2050000038365

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

ON Semiconductor, BD810G, BD810G-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BD810G
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
ON Semiconductor
Herst.-Abk.:
OnS
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
PNP
IC:
-10 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
-80 V
VCE Sättigung (max.):
-1.1 V
Kollektor Reststrom I(CES):
-1 mA
Ptot:
90 W
DC Stromverstärkung (hFE):
15
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
-4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
-2 V
Transitfrequenz f(T):
1.5 MHz
Montageart:
Durchführungsloch
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ON Semiconductor

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