Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB 1 NPN

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Art.-Nr.:
Q38177
Hersteller-Nr.:
BD809
EAN:
2050000038181

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

BD809, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor, bipolar-transisrtor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: No Name (foreign brand)
Kanäle: 1
Kategorie: Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse: TO-220AB
Ausführung: NPN
Typ: BD809
Montageart: Durchführungsloch
Kollektor Reststrom I(CES): 1 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 80 V
IC: 10 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom: 4 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung: 2 V
DC Stromverstärkung (hFE): 15
Ptot: 90 W
Transitfrequenz f(T): 1.5 MHz
VCE Sättigung (max.): 1.1 V
RoHS-konform: Ja

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