STMicroelectronics MOSFET IRF630 1 N-Kanal 75W TO-220AB

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Art.-Nr.:
Q33445
Hersteller-Nr.:
IRF630
EAN:
2050000033056

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

STMicroelectronics, IRF630, 497-2757-5-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
IRF630
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
STMicroelectronics
Herst.-Abk.:
STM
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
9 A
U:
200 V
Ptot:
75 W
R(DS)(on):
400 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
4.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
250 µA
Q(G):
45 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-65 °C
Montageart:
Durchführungsloch
Serie:
MESH OVERLAY™ II
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
200 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
STMicroelectronics

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