Transistor Mosfet Iiph Sgw25n120 To247 Inf

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Art.-Nr.:
Q31954
Hersteller-Nr.:
SGW25N120
EAN:
2050000025716

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, SGW25N120, SGW25N120-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
SGW25N120
Gehäuse:
TO247-3-PG
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Kategorie:
IGBT
Konfiguration:
Einzeln
Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES):
1200 V
IC:
46 A
I(CM):
84 A
VCE Sättigung (max.):
3.6 V
Ptot:
313 W
Eingangstyp:
Standard
Einschaltverzögerungszeit t(d)(on):
45 ns
Ausschaltverzögerungszeit t(d)(off)(2):
730 ns
Kollektor Reststrom I(CES):
350 µA
Eingangskapazität:
2600 pF
Q(G):
225 nC
Ausführung:
NPT
Montageart:
Durchführungsloch
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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