Infineon Technologies Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung BCR22PNH6327 SOT-363 1 NPN - vorgespan

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Art.-Nr.:
Q32546
Hersteller-Nr.:
BCR22PNH6327
EAN:
2050000022098

Produktdaten

Beschreibung

Doppel-Digitaltransistor-Array.

Hinweise:
+ Abbildung ähnlich

Stichwörter

Infineon Technologies, BCR22PNH6327, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BCR22PNH6327
Gehäuse:
SOT-363
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Kategorie:
Transistor (BJT) - Arrays, Vorspannung
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN - vorgespannt + PNP - vorgespannt
IC:
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
50 V
VCE Sättigung (max.):
300 mV
Kollektor Reststrom I(CES):
100 nA
Ptot:
250 mW
DC Stromverstärkung (hFE):
50
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 mA
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Transitfrequenz f(T):
130 MHz
Montageart:
Oberflächenmontage
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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