Transistor Small-Sign Bss83p Sot23 Inf

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Transistor Small-Sign Bsp317/Q67000-S0094 Infineon Technologies 1,24 1,17 1,14 1,04
Transistor Small-Sign Bss83p Sot23 Inf Infineon Technologies 0,10 0,08 0,06 1,04
Transistor Small-Sign Bss84p Sot223 Inf Infineon Technologies 0,12 0,10 0,08 1,04
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10 Stück
Art.-Nr.:
Q32714
Hersteller-Nr.:
BSS83P
EAN:
2050000020445

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSS83P, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSS83P
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
330 mA
U:
60 V
Ptot:
360 mW
R(DS)(on):
2 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
330 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
80 µA
Q(G):
3.57 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
78 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
60 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
Infineon Technologies

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