Transistor Small-Sign Bss169 Sot23 Inf

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Art.-Nr.:
Q35069
Hersteller-Nr.:
BSS169
EAN:
2050000019968

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSS169, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSS169
Gehäuse:
TO-236-3
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
N-Kanal
I(d):
170 mA
U:
100 V
Ptot:
360 mW
R(DS)(on):
6 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
170 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
1.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
50 µA
Q(G):
2.8 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
7 V
C(ISS):
68 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Deleption Mode
U(DSS):
100 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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