Transistor Small-Sign Bsp317/Q67000-S0094

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Art.-Nr.:
Q35017
Hersteller-Nr.:
BSP317
EAN:
2050000019616

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, BSP317, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSP317
Gehäuse:
TO-261-4
Hersteller:
Infineon Technologies
Herst.-Abk.:
INF
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
430 mA
U:
250 V
Ptot:
1.8 W
R(DS)(on):
4 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom:
430 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
370 µA
Q(G):
15.1 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
262 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
25 V
Betriebstemperatur (min.):
-55 °C
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Serie:
SIPMOS®
Transistor-Merkmal:
Logic Level Gate
U(DSS):
250 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
Marke:
Infineon Technologies

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