ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N5886G TO-3 1 NPN

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Art.-Nr.:
Q39707
Hersteller-Nr.:
2N5886G
EAN:
2050000012822

Produktdaten

Beschreibung

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Hinweise:
Hinweis:Hersteller SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.
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Stichwörter

ON Semiconductor, 2N5886G, 2N5886GOS-ND, Transistor, Transfer Resistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
2N5886G
Gehäuse:
TO-3
Hersteller:
ON Semiconductor
Herst.-Abk.:
OnS
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
25 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
80 V
VCE Sättigung (max.):
4 V
Kollektor Reststrom I(CES):
2 mA
Ptot:
200 W
DC Stromverstärkung (hFE):
20
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
10 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
4 V
Transitfrequenz f(T):
4 MHz
Montageart:
Durchführungsloch
RoHS-konform:
Ja
Marke:
ON Semiconductor

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