Transistor Mje 13009 Ons

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Transistor Mje 13009 Ons NXP Semiconductors 0,82 0,79 0,77 0,74
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Art.-Nr.:
Q37634
Hersteller-Nr.:
PHE13009,127
EAN:
2050000011658

Produktdaten

Beschreibung

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NXP Semiconductors, PHE13009, 127, 568-9759-5-ND

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
PHE13009,127
Gehäuse:
TO-220AB
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Kategorie:
Transistor (BJT) - diskret
Kanäle:
1
Ausführung:
NPN
IC:
12 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO):
400 V
VCE Sättigung (max.):
2 V
Kollektor Reststrom I(CES):
100 µA
Ptot:
80 W
DC Stromverstärkung (hFE):
8
DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom:
5 A
DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung:
5 V
Montageart:
Durchführungsloch
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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