Transistor Bsp 250 Geg Nxp

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Transistor Bss 84 Geg Smd Nxp NXP Semiconductors 0,20 0,20 0,17 0,15
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Art.-Nr.:
Q37616
Hersteller-Nr.:
BSP250GEG
EAN:
2050000011627

Produktdaten

Beschreibung

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Stichwörter

NXP Semiconductors, BSP250GEG, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Typ:
BSP250GEG
Gehäuse:
SOT-223
Hersteller:
NXP Semiconductors
Herst.-Abk.:
NXP
Ausführung:
P-Kanal
I(d):
3 A
U:
30 V
Ptot:
1.65 W
R(DS)(on):
250 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom:
1 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung:
10 V
U(GS)(th) max.:
2.8 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.:
1 mA
Q(G):
25 nC
Q(G) Referenz-Spannung:
10 V
C(ISS):
250 pF
C(ISS) Referenz-Spannung:
20 V
Montageart:
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur (max.):
+150 °C
Transistor-Merkmal:
Standard
U(DSS):
30 V
Kategorie:
MOSFET
Kanäle:
1
RoHS-konform:
Ja
Marke:
NXP Semiconductors

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