ROHM Semiconductor MOSFET-Transistor RJU002N06FRAT106 Anzahl Kanäle 1

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  • Produktbeschreibung

    Eigenschaften

    Montage: SMD/SMT
    Durchschlagspannung: 60 V
    Schwellspannung: 500 mV
    Verlustleistung: 200 mW
    Gleichstrom: 200 mA
    Widerstand: 1.6 Ohm
    Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C

    Stichwörter

    ROHM Semiconductor, RJU002N06FRAT106, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

  • Produktdaten

  • Bewertungen

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