ROHM Semiconductor MOSFET-Transistor RJU002N06FRAT106 Anzahl Kanäle 1

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Produktbeschreibung

Eigenschaften

Montage: SMD/SMT
Durchschlagspannung: 60 V
Schwellspannung: 500 mV
Verlustleistung: 200 mW
Gleichstrom: 200 mA
Widerstand: 1.6 Ohm
Betriebstemperatur: -55 °C bis +150 °C

Stichwörter

ROHM Semiconductor, RJU002N06FRAT106, Transistor, Transfer Resistor, Bipolartransistor

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