ROHM Semiconductor Z-Diode PTZTE255.6B Gehäuseart (Halbleiter) SOD-106 Zener-Spannung 5.856 V Leist

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Art.-Nr.:
Q17811
Hersteller-Nr.:
PTZTE255.6B
EAN:
2050001282842
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ROHM Semiconductor, PTZTE255.6B, PTZTE255.6BCT-ND, z diode, z-diode

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: ROHM Semiconductor
Marke: ROHM Semiconductor
Kategorie: Z-Diode
Konfiguration: einfache Diode
Gehäuse: SOD-106
Herst.-Abk.: ROH
Typ: PTZTE255.6B
Montageart: Oberflächenmontage
Impedanz: 8 Ω
Impedanz Referenz: 40 mA
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1000 mW
Rest-Sperrstrom: 20 µA
Z.-Spg. (UZ): 5.856 V
Z.-Spg. max.: 6.3 V
Z.-Spg. min.: 5.6 V
Z.-Spg. Toleranz: 6 + -6 %
RoHS-konform: Ja

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