ROHM Semiconductor Z-Diode PTZTE255.6B Gehäuseart (Halbleiter) SOD-106 Zener-Spannung 5.856V Leistung (max) P(TOT) 1000mW
-
Produktbeschreibung
Stichwörter
ROHM Semiconductor, PTZTE255.6B, PTZTE255.6BCT-ND, z diode, z-diode
-
Produktdaten
-
Bewertungen