Transistor Hexfet Pow.Mosf. Irf3205z To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q81226
Hersteller-Nr.:
IRF3205ZPBF
EAN:
2050000052958
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Infineon Technologies, IRF3205ZPBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-220AB
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRF3205ZPBF
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 3450 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 75 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 170 W
Q(G): 110 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 6.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 66 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 55 V
U(GS)(th) max.: 4 V
RoHS-konform: Ja

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