Transistor Hexfet Si4410dy So-8 Ir

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Transistor Hexfet Si4410dy So-8 Ir (aktuelles Produkt) Infineon Technologies 0,57 0,56 0,55 0,54
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Art.-Nr.:
Q85669
Hersteller-Nr.:
SI4410DY
EAN:
2050000044816
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Infineon Technologies, SI4410DY, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)
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Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: SO-8
Ausführung: N-Kanal
Serie: PowerTrench®
Transistor-Merkmal: Logic Level Gate
Herst.-Abk.: INF
Typ: SI4410DY
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 1350 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 15 V
I(d): 10 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 2.5 W
Q(G): 60 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 13.5 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 10 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 30 V
U(GS)(th) max.: 1 V
U: 30 V
RDS(on): 0.0135 Ω
RoHS-konform: Ja

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