Transistor Hexfet Irlr120n D-Pak

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Art.-Nr.:
Q85613
Hersteller-Nr.:
IRLR120N
EAN:
2050000044526
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Beschreibung

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Stichwörter

Infineon Technologies, IRLR120N, International Rectifier, IRLR120NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-263-3
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRLR120N
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 440 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 10 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 48 W
Q(G): 20 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 5 V
R(DS)(on): 185 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 6 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 100 V
U(GS)(th) max.: 2 V
RoHS-konform: Ja

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