Transistor Hexfet Irfu5305 I-Pak

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Art.-Nr.:
Q85450
Hersteller-Nr.:
IRFU5305PBF
EAN:
2050000043635
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Infineon Technologies, IRFU5305PBF, International Rectifier, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: I-PAK
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRFU5305PBF
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 1200 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 31 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 110 W
Q(G): 63 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 65 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 16 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 55 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U: 55 V
RDS(on): 0.065 Ω
RoHS-konform: Ja

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