Transistor Hexfet Irf1310n To-220 Ir

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Art.-Nr.:
Q85286
Hersteller-Nr.:
IRF1310NPBF
EAN:
2050000040672
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Produktdaten

Beschreibung

Ein MOSFET-Transistor ist ein spannungsgesteuertes Bauelement und kann direkt an hochohmige Quellen angeschlossen werden. Er eignet sich daher für den Einsatz als Schalter oder Analogverstärker. Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Hinweise:
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Stichwörter

Infineon Technologies, IRF1310NPBF, International Rectifier, IRF1310NPBF-ND, FET

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-220AB
Ausführung: N-Kanal
Serie: HEXFET®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: IRF1310NPBF
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 1900 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 42 A
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 160 W
Q(G): 110 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 36 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 22 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 100 V
U(GS)(th) max.: 4 V
RDS(on): 0.036 Ω
RoHS-konform: Ja

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