Transistor Mosfet Irf630 Stm

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Transistor Mosfet Irf630 Stm (aktuelles Produkt) STMicroelectronics 0,63 0,58 0,57 0,53
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Art.-Nr.:
Q33445
Hersteller-Nr.:
IRF630
EAN:
2050000033056
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STMicroelectronics, IRF630, 497-2757-5-ND, FET, Feldeffekt-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: STMicroelectronics
Kanäle: 1
Marke: STMicroelectronics
Kategorie: MOSFET
Gehäuse: TO-220AB
Ausführung: N-Kanal
Serie: MESH OVERLAY™ II
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: STM
Typ: IRF630
Montageart: Durchführungsloch
C(ISS): 700 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 9 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -65 °C
Ptot: 75 W
Q(G): 45 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 400 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 4.5 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
U(DSS): 200 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U: 200 V
RoHS-konform: Ja

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