Transistor Small-Sign Bsp135 Sot223 Inf

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Art.-Nr.:
Q32982
Hersteller-Nr.:
BSP135H6327
EAN:
2050000021237
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Infineon Technologies, BSP135H6327, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: TO-261-4
Ausführung: N-Kanal
Serie: SIPMOS®
Transistor-Merkmal: Deleption Mode
Herst.-Abk.: INF
Typ: BSP135H6327
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 146 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 120 mA
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1.8 W
Q(G): 4.9 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 5 V
R(DS)(on): 45 Ω
R(DS)(on) Referenz-Strom: 120 mA
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 94 µA
U(DSS): 600 V
U(GS)(th) max.: 1 V
U: 600 V

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