Transistor Small-Sign Bsp613p/Q67040-S4190

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Art.-Nr.:
Q32999
Hersteller-Nr.:
BSP613P
EAN:
2050000020872
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Infineon Technologies, BSP613P, FET, Feldeffekt-transistor, fieldeffect-transistor

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Datenblatt (Version 1)

Technische Daten

Hersteller: Infineon Technologies
Kanäle: 1
Marke: Infineon Technologies
Kategorie: MOSFET
In PCB-Software verfügbar: Target 3001!
Gehäuse: SOT-223
Ausführung: P-Kanal
Serie: SIPMOS®
Transistor-Merkmal: Standard
Herst.-Abk.: INF
Typ: BSP613P
Montageart: Oberflächenmontage
C(ISS): 875 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
I(d): 2.9 A
Betriebstemperatur (max.): +150 °C
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Ptot: 1.8 W
Q(G): 33 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
R(DS)(on): 130 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 2.9 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 1 mA
U(DSS): 60 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U: 60 V
RoHS-konform: Ja

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